可靠性（Reliability）是权衡产品耐久力的指标，，，典范IC产品的生命周期通？？捎靡惶踉「浊撸˙athtub Curve）来体现。
。。

如上图所示，，，集成电路的失效原因大致可分为三个阶段：

Region (I) 被称作早夭期（Infancy period），，，此阶段产品的失效率急剧下降，，，失效原因源于IC设计和生产历程中的缺陷；；；；；
；

Region (II) 被称为使用期（Useful life period），，，该阶段产品的失效率坚持稳固，，，失效原因往往具有随机性，，，例如温度转变等；；；；；
；

Region (III) 被叫做磨耗期（Wear - Out period），，，这一阶段产品的失效率会迅速升高，，，失效原因是产品恒久使用导致的老化等问题。
。。

军工级器件老化筛选

元器件寿命试验、ESD品级、Latch_up测试评价、崎岖温性能剖析试验、集成电路微缺陷剖析、封装缺陷无损检测及剖析、电迁徙与热载流子评价剖析

凭证试验品级可分为以下几类：

一、使用寿命测试项目（Life test items）

EFR：早期失效品级测试（Early fail Rate Test）

目的：评估工艺的稳固性，，，加速缺陷失效率，，，剔除因先天性原因失效的产品。
。。

测试条件：在特准时间内动态提高温度和电压对产品举行测试。
。。

失效机制：质料或工艺的缺陷，，，包括氧化层缺陷、金属刻镀问题、离子玷污等生产历程造成的失效。
。。

参考标准：JESD22 - A108 - AEIAJED - 4701 - D101

HTOL/LTOL：高/低温操作生命期试验（High/Low Temperature Operating Life）

目的：评估器件在超热和超电压情形下一段时间的耐久能力。
。。

测试条件：125℃，，，1.1VCC，，，动态测试。
。。

失效机制：电子迁徙、氧化层破碎、相互扩散、不稳固性、离子玷污等。
。。

参考数据：125℃条件下1000小时测试通过，，，IC可包管持续使用4年；；；；；
；2000小时测试通过，，，可持续使用8年；；；；；
；150℃ 1000小时测试通过包管使用8年，，，2000小时包管使用28年。
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参考标准：MIT - STD - 883E Method 1005.8、JESD22 - A108 - AEIAJED - 4701 - D101

二、情形测试项目（Environmental test items）

PRE - CON：预处理测试（Precondition Test）

目的：模拟IC在使用前于一定湿度和温度条件下存储的耐久力，，，即IC从生产到使用时代存储的可靠性。
。。

THB：加速式温湿度及偏压测试（Temperature Humidity Bias Test）

目的：评估IC产品在高温、高湿、偏压条件下对湿气的反抗能力，，，加速其失效历程。
。。

测试条件：85℃，，，85%RH，，，1.1 VCC，，，Static bias。
。。

失效机制：电解侵蚀。
。。

参考标准：JESD22 - A101 - DEIAJED - 4701 - D122

高加速温湿度及偏压测试（HAST: Highly Accelerated Stress Test）

目的：评估IC产品在偏压下高温、高湿、高气压条件下对湿度的反抗能力，，，加速其失效历程。
。。

测试条件：130℃，，，85%RH，，，1.1 VCC，，，Static bias，，，2.3 atm。
。。

失效机制：电离侵蚀、封装密封性问题。
。。

参考标准：JESD22 - A110

PCT：高压蒸煮试验（Pressure Cook Test (Autoclave Test)）

目的：评估IC产品在高温、高湿、高气压条件下对湿度的反抗能力，，，加速其失效历程。
。。

测试条件：130℃，，，85%RH，，，Static bias，，，15PSIG（2 atm）。
。。

失效机制：化学金属侵蚀、封装密封性问题。
。。

参考标准：JESD22 - A102、EIAJED - 4701 - B123

* HAST与THB的区别在于HAST温度更高且思量了压力因素，，，实验时间可缩短；；；；；
；而PCT不加偏压，，，但湿度更大。
。。

TCT：崎岖温循环试验（Temperature Cycling Test）

目的：评估IC产品中具有差别热膨胀系数的金属之间界面的接触良率。
。。要领是通过循环流动的空气使温度在高温顺低温之间重复转变。
。。

测试条件：Condition B: - 55℃至125℃；；；；；
；Condition C: - 65℃至150℃。
。。

失效机制：电介质断裂、导体和绝缘体断裂、差别界面分层。
。。

参考标准：MIT - STD - 883E Method 1010.7、JESD22 - A104 - AEIAJED - 4701 - B - 131

TST：崎岖温攻击试验（Thermal Shock Test）

目的：评估IC产品中具有差别热膨胀系数的金属之间界面的接触良率。
。。要领是通过循环流动的液体使温度在高温顺低温之间重复转变。
。。

测试条件：Condition B: - 55℃至125℃；；；；；
；Condition C: - 65℃至150℃。
。。

失效机制：电介质断裂、质料老化（如bond wires）、导体机械变形。
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参考标准：MIT - STD - 883E Method 1011.9、JESD22 - B106、EIAJED - 4701 - B - 141

* TCT与TST的区别在于TCT着重于package的测试，，，而TST着重于晶园的测试。
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HTST：高温贮存试验（High Temperature Storage Life Test）

目的：评估IC产品在现实使用前，，，在高温条件下坚持数年不事情状态的寿命。
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测试条件：150℃。
。。

失效机制：化学和扩散效应、Au - Al共金效应。
。。

参考标准：MIT - STD - 883E Method 1008.2、JESD22 - A103 - A、EIAJED - 4701 - B111

可焊性试验（Solderability Test）

目的：评估IC leads在粘锡历程中的可靠性。
。。

测试要领：Step1：蒸汽老化8小时；；；；；
；Step2：浸入245℃锡盆中5秒。
。。

失效标准（Failure Criterion）：至少95％良率。
。。

详细的测试条件和估算效果可参考以下标准：MIT - STD - 883E Method 2003.7、JESD22 - B102

SHT Test:焊接热量耐久测试（Solder Heat Resistivity Test）

目的：评估IC对瞬间高温的敏感度。
。。

测试要领：侵入260℃锡盆中10秒。
。。

失效标准（Failure Criterion）：凭证电测试效果。
。。

详细的测试条件和估算效果可参考以下标准：MIT - STD - 883E Method 2003.7、EIAJED - 4701 - B106

三、耐久性测试项目（Endurance test items）

周期耐久性测试（Endurance Cycling Test）

目的：评估非挥发性memory器件在多次读写算后的长期性能。
。。

测试要领：将数据写入memory的存储单位，，，再擦除数据，，，重复该历程多次。
。。

测试条件：室温或更高温度，，，每个数据的读写次数抵达100k ~ 1000k。
。。

参考标准：MIT - STD - 883E Method 1033

数据坚持力测试（Data Retention Test）

目的：在重复读写后，，，加速非挥发性memory器件存储节点的电荷损失。
。。

测试条件：在高温条件下将数据写入memory存储单位后，，，多次读取并验证单位中的数据。
。。

失效机制：150℃